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2SB1124T-TD-E

2SB1124T-TD-E onsemi

en2019-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 3A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
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Technische Details 2SB1124T-TD-E onsemi

Description: TRANS PNP 50V 3A PCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: PCP, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 500 mW.

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2SB1124T-TD-E 2SB1124T-TD-E Hersteller : ON Semiconductor EN2019-D-1803572.pdf Bipolar Transistors - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE
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Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
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Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
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