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| Anzahl | Preis |
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Technische Details 2SB1131S ON Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 320MHz, Supplier Device Package: 3-MP, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 1 W.
Weitere Produktangebote 2SB1131S nach Preis ab 0.36 EUR bis 0.40 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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| 2SB1131S | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin Case MP |
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| 2SB1131S | Hersteller : onsemi |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: 3-MP Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1 W |
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| 2SB1131S | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1131S - 2SB1131S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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