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2SB1132T100R

2SB1132T100R Rohm Semiconductor

2sb1132.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 32V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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Technische Details 2SB1132T100R Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 32V 1A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 2 W.

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2SB1132T100R 2SB1132T100R Hersteller : Rohm Semiconductor 2SB1132%2C2SA1515S%2C2SB1237.pdf Description: TRANS PNP 32V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 2 W
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2SB1132T100R Hersteller : ROHM Semiconductor 2SB1132%2C2SA1515S%2C2SB1237.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 1A
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2SB1132T 100R Hersteller : ROHM
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2SB1132 T100R Hersteller : ROHM SOT89
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2SB1132T100R Hersteller : Rohm 2SB1132%2C2SA1515S%2C2SB1237.pdf Транзистор PNP; Uceo, В = 32; Ic = 1 А; ft, МГц = 150; hFE = 180 @ 100 мA, 3 В; Icutoff-max = 500 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-89-3
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2SB1132T100R 2SB1132T100R Hersteller : Rohm Semiconductor 2SB1132%2C2SA1515S%2C2SB1237.pdf Description: TRANS PNP 32V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: MPT3
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Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
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