2SB1132T100R


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Produktcode: 203151
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SB1132T100R 2SB1132T100R Rohm Semiconductor 5280530327600222sb1132.pdf Trans GP BJT PNP 32V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+0.73 EUR
376+0.46 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
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2SB1132T100R 2SB1132T100R Rohm Semiconductor 5280530327600222sb1132.pdf Trans GP BJT PNP 32V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
151+1.17 EUR
245+0.69 EUR
378+0.43 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
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2SB1132T100R 2SB1132T100R Rohm Semiconductor 2SB1132%2C2SA1515S%2C2SB1237.pdf Description: TRANS PNP 32V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 1088 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.24 EUR
28+0.77 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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2SB1132T 100R ROHM
auf Bestellung 97000 Stücke:
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2SB1132 T100R ROHM 09+
auf Bestellung 87986 Stücke:
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2SB1132 T100R ROHM SOT89
auf Bestellung 1000 Stücke:
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2SB1132T100R Rohm 2sb1132.pdf Транзистор PNP, Uceo, В = 32, Ic = 1 А, ft, МГц = 150, hFE = 180 @ 100 мA, 3 В, Icutoff-max = 500 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-89-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
verfügbar 5 Stücke:
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2SB1132T100R 5280530327600222sb1132.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 32V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 2 W
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2SB1132T 100R
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2SB1132 T100R
Hersteller: ROHM
09+
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2SB1132 T100R
Hersteller: ROHM
SOT89
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Транзистор PNP, Uceo, В = 32, Ic = 1 А, ft, МГц = 150, hFE = 180 @ 100 мA, 3 В, Icutoff-max = 500 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-89-3 Од. вим: шт
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