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2SB1165S

2SB1165S onsemi

SNYOS08493-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-126LP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.2 W
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Technische Details 2SB1165S onsemi

Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: TO-126LP, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1.2 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
2SB1165S Hersteller : ON Semiconductor SNYOS08493-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans GP BJT PNP 50V 5A 1200mW 3-Pin TO-126LP
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2SB1165S Hersteller : ON Semiconductor SNYOS08493-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans GP BJT PNP 50V 5A 1200mW 3-Pin TO-126LP
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2SB1165S Hersteller : ONSEMI SNYOS08493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SB1165S - 2SB1165S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 13086 Stücke:
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