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2SB1167S

2SB1167S onsemi

SSCLS00204-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-126LP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.2 W
auf Bestellung 10600 Stücke:
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Technische Details 2SB1167S onsemi

Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: TO-126LP, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.2 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SB1167S ON Semiconductor SSCLS00204-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans GP BJT PNP 100V 3A 1200mW 3-Pin TO-126LP
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1207+0.55 EUR
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2SB1167S ONSEMI SSCLS00204-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SB1167S - 2SB1167S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 13600 Stücke:
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1188+0.81 EUR
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1167S - 2SB1167S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
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