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2SB1182TLR

2SB1182TLR Rohm Semiconductor

2SB1182%2C1240_Rev10.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 32V 2A CPT3
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: CPT3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
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Technische Details 2SB1182TLR Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 32V 2A CPT3, Power - Max: 10 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: CPT3, Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SB1182TLR ROHM Semiconductor rohm semiconductor_2sb1188.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 2A
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2SB1182TLR 2SB1182%2C1240_Rev10.pdf
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2SB1182 TL R ROHM SOT252/2.5
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