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2SB1188-R

2SB1188-R Yangjie Technology


Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 100000 Stücke:
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Anzahl Preis
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Technische Details 2SB1188-R Yangjie Technology

Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si, Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-89, Frequency - Transition: 80MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

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