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2SB1188T100Q

2SB1188T100Q ROHM - Japan

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Hersteller: ROHM - Japan
Tranzystor PNP; 390; 500mW; 32V; 2A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; 2SB1188T100Q; 2SB1188T100R; 2SB1188 T2SB1188
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Technische Details 2SB1188T100Q ROHM - Japan

Description: ROHM - 2SB1188T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 500mW, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SB1188T100Q 2SB1188T100Q Rohm Semiconductor 2SB1182%2C1188%2C1240.pdf Description: TRANS PNP 32V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.63 EUR
21+1.01 EUR
100+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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2SB1188T100Q 2SB1188T100Q ROHM 2SB1182%2C1188%2C1240.pdf Description: ROHM - 2SB1188T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 627 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+2.17 EUR
193+1.2 EUR
247+0.87 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
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2SB1188T100Q 2SB1188T100Q ROHM 2SB1182%2C1188%2C1240.pdf Description: ROHM - 2SB1188T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 627 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+2.17 EUR
193+1.2 EUR
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Mindestbestellmenge: 116 Stücke
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2SB1188T100Q ROHM Semiconductor rohmsemiconductor_2SB1182_1188_1240.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 2A SO-89
auf Bestellung 4302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.75 EUR
10+1.09 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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2SB1188 T100Q ROHM SOT89
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SB1188T100Q 2SB1182%2C1188%2C1240.pdf
2SB1188T100Q
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 32V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 2 W
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2SB1188T100Q 2SB1182%2C1188%2C1240.pdf
2SB1188T100Q
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SB1188T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
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Wandlerpolarität: PNP
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Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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2SB1188T100Q
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SB1188T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
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Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 2A SO-89
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10+1.09 EUR
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1000+0.57 EUR
2000+0.51 EUR
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2SB1188 T100Q
Hersteller: ROHM
SOT89
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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