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2SB1201S-TL-E

2SB1201S-TL-E ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details 2SB1201S-TL-E ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 15W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E ON Semiconductor 2sb1201d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E onsemi 2SB1201-D.PDF Description: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
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2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E ON Semiconductor 2sb1201d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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688+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 688 Stücke
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2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E onsemi 2SB1201-D.PDF Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V
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2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E onsemi 2SB1201-D.PDF Description: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
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2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E ONSEMI ONSMS36742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E ONSEMI ONSMS36742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1285 Stücke:
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100+3.52 EUR
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2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E ONSEMI 2SB1201-D.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 0.8W; DPAK
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.8W
Type of transistor: PNP
Current gain: 140...280
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Frequency: 150MHz
Collector current: 2A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
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2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E ON Semiconductor 2sb1201d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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auf Bestellung 635 Stücke:
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2SB1201S-TL-E
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2SB1201S-TL-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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700+0.93 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1400 Stücke:
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1000+0.88 EUR
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Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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688+0.98 EUR
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Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V
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10+1.83 EUR
100+1.12 EUR
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2SB1201S-TL-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 1400 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
8+2.93 EUR
12+1.87 EUR
100+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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2SB1201S-TL-E ONSMS36742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SB1201S-TL-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1285 Stücke:
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71+3.52 EUR
112+2.08 EUR
168+1.27 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1201S-TL-E ONSMS36742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SB1201S-TL-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.52 EUR
112+2.08 EUR
168+1.27 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2SB1201S-TL-E
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 0.8W; DPAK
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.8W
Type of transistor: PNP
Current gain: 140...280
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Frequency: 150MHz
Collector current: 2A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
auf Bestellung 692 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1201S-TL-E 2sb1201d.pdf
2SB1201S-TL-E
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1201S-TL-E 2sb1201d.pdf
2SB1201S-TL-E
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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