Technische Details 2SB1201S-TL-E ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 15W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote 2SB1201S-TL-E nach Preis ab 0.6 EUR bis 2.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SB1201S-TL-E | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
2SB1201S-TL-E | onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 2A TP-FA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW |
auf Bestellung 18200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
2SB1201S-TL-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
2SB1201S-TL-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
2SB1201S-TL-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
2SB1201S-TL-E | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 0.8W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 2A Power dissipation: 0.8W Case: DPAK Current gain: 140...280 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 150MHz |
auf Bestellung 696 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
2SB1201S-TL-E | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V |
auf Bestellung 4318 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
2SB1201S-TL-E | onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 2A TP-FA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW |
auf Bestellung 18640 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
2SB1201S-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 15W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1286 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
|
2SB1201S-TL-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 635 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
|
2SB1201S-TL-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 635 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 75 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
|
2SB1201S-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 15W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1286 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2SB1201S-TL-E |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 700+ | 0.7 EUR |
| 1400+ | 0.68 EUR |
| 2SB1201S-TL-E |
|
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
Description: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 18200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 700+ | 0.84 EUR |
| 1400+ | 0.77 EUR |
| 2SB1201S-TL-E |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 688+ | 0.96 EUR |
| 1000+ | 0.87 EUR |
| 2SB1201S-TL-E |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 688+ | 0.96 EUR |
| 2SB1201S-TL-E |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 688+ | 0.96 EUR |
| 2SB1201S-TL-E |
|
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 0.8W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.8W
Case: DPAK
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 0.8W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.8W
Case: DPAK
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
auf Bestellung 696 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 59+ | 1.46 EUR |
| 79+ | 1.08 EUR |
| 88+ | 0.98 EUR |
| 115+ | 0.75 EUR |
| 200+ | 0.67 EUR |
| 250+ | 0.64 EUR |
| 500+ | 0.6 EUR |
| 2SB1201S-TL-E |
|
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V
auf Bestellung 4318 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.64 EUR |
| 10+ | 1.51 EUR |
| 100+ | 0.83 EUR |
| 700+ | 0.67 EUR |
| 2SB1201S-TL-E |
|
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
Description: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 18640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.84 EUR |
| 12+ | 1.81 EUR |
| 100+ | 1.2 EUR |
| 2SB1201S-TL-E |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2SB1201S-TL-E |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2SB1201S-TL-E |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2SB1201S-TL-E |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)