2SB1202S-TL-E ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details 2SB1202S-TL-E ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote 2SB1202S-TL-E nach Preis ab 0.47 EUR bis 0.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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2SB1202S-TL-E | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 14520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SB1202S-TL-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 9800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SB1202S-TL-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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2SB1202S-TL-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SB1202S-TL-E | Hersteller : SANYO |
SOT-252 |
auf Bestellung 22929 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2SB1202S-TL-E | Hersteller : SANYO |
TO263 |
auf Bestellung 687 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2SB1202S-TL-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING |
auf Bestellung 2716 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SB1202S-TL-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SB1202S-TL-E | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 3A TP-FA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TP-FA Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
Produkt ist nicht verfügbar |