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2SB1202S-TL-E

2SB1202S-TL-E ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details 2SB1202S-TL-E ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SB1202S-TL-E 2SB1202S-TL-E ON Semiconductor 2sb1202-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
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Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
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Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
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Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
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