2SB1202T-TL-E ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1202T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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Technische Details 2SB1202T-TL-E ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1202T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote 2SB1202T-TL-E nach Preis ab 0.38 EUR bis 2.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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2SB1202T-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1202T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 7707 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SB1202T-TL-E | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 223300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SB1202T-TL-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SB1202T-TL-E | SANYO |
auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2SB1202T-TL-E |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1202T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2SB1202T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 7707 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 700+ | 0.52 EUR |
| 2SB1202T-TL-E |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 223300 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1213+ | 0.54 EUR |
| 10000+ | 0.46 EUR |
| 100000+ | 0.38 EUR |
| 2SB1202T-TL-E |
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE
Bipolar Transistors - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 2+ | 2.12 EUR |
| 10+ | 1.3 EUR |
| 100+ | 0.86 EUR |
| 700+ | 0.67 EUR |
| 1400+ | 0.58 EUR |
| 2100+ | 0.52 EUR |
| 4900+ | 0.46 EUR |
| 2SB1202T-TL-E |
Hersteller: SANYO
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