Technische Details 2SB1203S-TL-E ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 50V 5A TP-FA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: TP-FA, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1 W.
Weitere Produktangebote 2SB1203S-TL-E nach Preis ab 0.82 EUR bis 1.08 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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2SB1203S-TL-E | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SB1203S-TL-E | onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 5A TP-FA Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: TP-FA Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
auf Bestellung 12859 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SB1203S-TL-E | ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 50V |
auf Bestellung 1733 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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2SB1203S-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1203S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 140 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 20 Übergangsfrequenz ft: 130 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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2SB1203S-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1203S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 140 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 20 Übergangsfrequenz ft: 130 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2SB1203S-TL-E |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 728+ | 0.9 EUR |
| 1000+ | 0.82 EUR |
| 2SB1203S-TL-E |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 5A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS PNP 50V 5A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 12859 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 1.08 EUR |
| 2SB1203S-TL-E |
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Hersteller: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 50V
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 50V
auf Bestellung 1733 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| 2SB1203S-TL-E |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1203S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 20
Übergangsfrequenz ft: 130
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2SB1203S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 20
Übergangsfrequenz ft: 130
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2SB1203S-TL-E |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1203S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 20
Übergangsfrequenz ft: 130
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2SB1203S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 20
Übergangsfrequenz ft: 130
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)