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2SB1204S-E ON Semiconductor


2sb1204-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
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Technische Details 2SB1204S-E ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 50V 8A TP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: TP, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SB1204S-E 2SB1204S-E onsemi 2SB1204_D-2309391.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 8A 50V
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