2SB1204T-TL-E ON Semiconductor
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Technische Details 2SB1204T-TL-E ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 50V 8A TP-FA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: TP-FA, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1 W.
Weitere Produktangebote 2SB1204T-TL-E nach Preis ab 0.81 EUR bis 1.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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2SB1204T-TL-E | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 14700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SB1204T-TL-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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2SB1204T-TL-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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2SB1204T-TL-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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2SB1204T-TL-E | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 8A 50V |
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| 2SB1204T-TL-E |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Trans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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| 2SB1204T-TL-E |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 8A 50V
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