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2SB1205S-TL-E

2SB1205S-TL-E ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details 2SB1205S-TL-E ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2SB1205S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 5 A, 10 W, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 320MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SB1205S-TL-E 2SB1205S-TL-E ON Semiconductor en2114-d.pdf Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2SB1205S-TL-E 2SB1205S-TL-E ON Semiconductor en2114-d.pdf Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2SB1205S-TL-E 2SB1205S-TL-E onsemi EN2114-D.PDF Description: TRANS PNP 20V 5A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
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2SB1205S-TL-E ONSEMI EN2114-D.PDF Description: ONSEMI - 2SB1205S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 5 A, 10 W, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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2SB1205S-TL-E SANYO EN2114-D.PDF SOT252/2.5
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2SB1205S-TL-E onsemi EN2114_D-2311014.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 20V
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2SB1205S-TL-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 20V 5A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
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Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1205S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 5 A, 10 W, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Hersteller: SANYO
SOT252/2.5
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2SB1205S-TL-E EN2114_D-2311014.pdf
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 20V
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