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2SB1205T-E

2SB1205T-E ON Semiconductor

en2114-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP T/R
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Technische Details 2SB1205T-E ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 20V 5A TP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 320MHz, Supplier Device Package: TP, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 1 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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2SB1205T-E 2SB1205T-E ON Semiconductor EN2114-D-310458.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 20V
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2SB1205T-E ONSEMI ONSMS36414-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SB1205T-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Description: ONSEMI - 2SB1205T-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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