Produkte > ONSEMI > 2SB1216S-TL-E

2SB1216S-TL-E onsemi


2sb1216_2sd1816-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 4A TPFA
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
700+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details 2SB1216S-TL-E onsemi

Description: TRANS PNP 100V 4A TPFA, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Supplier Device Package: TP-FA, Frequency - Transition: 130MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Weitere Produktangebote 2SB1216S-TL-E nach Preis ab 0.86 EUR bis 1.43 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
2SB1216S-TL-E 2SB1216S-TL-E onsemi 2sb1216_2sd1816-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 4A TPFA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
auf Bestellung 1071 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.43 EUR
15+1.24 EUR
100+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1216S-TL-E 2SB1216S-TL-E ON Semiconductor 2SB1216_2SD1816-D-1801782.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 4A 100V
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1216S-TL-E 2sb1216_2sd1816-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 4A TPFA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
auf Bestellung 1071 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
13+1.43 EUR
15+1.24 EUR
100+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1216S-TL-E 2SB1216_2SD1816-D-1801782.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 4A 100V
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH