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2SB1308T100Q ROHM Semiconductor


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Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP 20V 3A
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Technische Details 2SB1308T100Q ROHM Semiconductor

Description: TRANS PNP 20V 3A MPT3, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 150mA, 1.5A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 2 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: MPT3, Frequency - Transition: 120MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO).

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2SB1308T100Q 2SB1308T100Q Hersteller : Rohm Semiconductor 2sb1308.pdf Description: TRANS PNP 20V 3A MPT3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 150mA, 1.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
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