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2SB1386T100R

2SB1386T100R Rohm Semiconductor

2SB1386%2C1412%2C1326.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 20V 5A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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20+1.08 EUR
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Technische Details 2SB1386T100R Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SB1386T100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 4 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 500mW, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SB1386T100R 2SB1386T100R ROHM 2SB1386%2C1412%2C1326.pdf description Description: ROHM - 2SB1386T100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 4 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.21 EUR
182+1.27 EUR
279+0.77 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
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2SB1386T100R 2SB1386T100R ROHM 2SB1386%2C1412%2C1326.pdf description Description: ROHM - 2SB1386T100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 4 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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auf Bestellung 616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.21 EUR
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2SB1386 T100R ROHM 09+
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2SB1386-T100R ROHM SOT89
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2SB1386T100R
Hersteller: ROHM
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
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usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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2SB1386T100R
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SB1386T100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 4 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-89
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
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09+
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SOT89
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