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2SB1412TLQ

2SB1412TLQ Rohm Semiconductor

622sb1412.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
auf Bestellung 1990 Stücke:
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Technische Details 2SB1412TLQ Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 20V 5A CPT3, Power - Max: 10 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: CPT3, Frequency - Transition: 120MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 2V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO).

Weitere Produktangebote 2SB1412TLQ nach Preis ab 0.67 EUR bis 2.68 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SB1412TLQ 2SB1412TLQ Rohm Semiconductor 2SB1386%2C1412%2C1326.pdf Description: TRANS PNP 20V 5A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 10 W
auf Bestellung 1758 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.68 EUR
13+1.69 EUR
100+1.12 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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2SB1412TLQ ROHM Semiconductor rohm_2sb1412.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP 20V 5A
auf Bestellung 92 Stücke:
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2+2.4 EUR
10+1.56 EUR
100+1.11 EUR
500+0.9 EUR
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2500+0.71 EUR
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2SB1412 TL Q ROHM TO252/2.5
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2SB1412TLQ
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Description: TRANS PNP 20V 5A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 10 W
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Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP 20V 5A
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10+1.56 EUR
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500+0.9 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.71 EUR
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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2SB1412 TL Q
Hersteller: ROHM
TO252/2.5
auf Bestellung 24 Stücke:
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