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2SB1561T100Q

2SB1561T100Q Rohm Semiconductor

SOT89_DTDG.jpg Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 60V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
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Technische Details 2SB1561T100Q Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 60V 2A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 2 W.

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2SB1561T100Q 2SB1561T100Q Hersteller : Rohm Semiconductor SOT89_DTDG.jpg Description: TRANS PNP 60V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
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2SB1561T100Q 2SB1561T100Q Hersteller : ROHM Semiconductor rohm_s_a0001422816_1-2281577.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP 60V 2A
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2SB1561-T100Q
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2SB1561 T100Q Hersteller : ROHM SOT89
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