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2SB1689T106

2SB1689T106 Rohm Semiconductor

2sb1689t106-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 12V 1.5A 200mW 3-Pin UMT T/R
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Technische Details 2SB1689T106 Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 12V 1.5A UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V, Frequency - Transition: 400MHz, Supplier Device Package: UMT3, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V, Power - Max: 200 mW.

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2SB1689T106 2SB1689T106 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SB1689&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 12V 1.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 200 mW
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2SB1689T106 2SB1689T106 Hersteller : Rohm Semiconductor 2sb1689t106-e.pdf Trans GP BJT PNP 12V 1.5A 200mW 3-Pin UMT T/R
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2SB1689T106 2SB1689T106 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SB1689&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 12V 1.5A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 200 mW
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2SB1689T106 2SB1689T106 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=2SB1689&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT PNP 12V 1.5A
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2SB1689 T106 Hersteller : ROHM SOT323
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2SB1689T106 Hersteller : ROHM datasheet?p=2SB1689&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SOT323
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2SB1689T106 2SB1689T106 Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=2SB1689&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 12V; 1.5A; 200mW; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Collector current: 1.5A
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 270...680
Frequency: 400MHz
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Case: SC70; SOT323
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