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Technische Details 2SB1708TL ROHM Semiconductor
Description: ROHM - 2SB1708TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 3 A, 500 mW, SOT-346, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 270hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-346, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 3A, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote 2SB1708TL
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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2SB1708TL | Hersteller : ROHM |
 Description: ROHM - 2SB1708TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 3 A, 500 mW, SOT-346, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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2SB1708TL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SB1708TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 3 A, 500 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 270hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-346 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 3A Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SB1708TL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
2SB1708TL PNP SMD transistors |
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2SB1708TL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 3A TSMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW |
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2SB1708TL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 3A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW |
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