2SB1708TL ROHM Semiconductor

Description: ROHM - 2SB1708TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 3 A, 500 mW, SOT-346, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 270hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-346, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 3A, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).