2SB1732TL Rohm Semiconductor


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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 12V 1.5A 800mW 3-Pin TUMT T/R
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Technische Details 2SB1732TL Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 12V 1.5A TUMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V, Frequency - Transition: 400MHz, Supplier Device Package: TUMT3, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V, Power - Max: 400 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SB1732TL 2SB1732TL Rohm Semiconductor 2sb1732tl-e.pdf Trans GP BJT PNP 12V 1.5A 800mW 3-Pin TUMT T/R
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2SB1732TL 2SB1732TL ROHM Semiconductor datasheet?p=2SB1732&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT 12V 1.5A PNP LOW
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