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2SB772P

2SB772P NEC

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Produktcode: 14783
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Hersteller: NEC
Gehäuse: TO-126
Grenzfrequenz fT, MHz: 80 MHz
Spannung Uce, V: 30 V
Spannung Ucb, V: 40 V
Strom Ic, A: 3 A
Stromverstärkung h21, max: 400
verfügbar: 24 St.
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SB772P LGE PNP 3A 30V 10W 80MHz 160 < beta < 320 2SB772 T2SB772
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2SB772P LGE PNP 3A 30V 10W 80MHz 160 < beta < 320 2SB772 T2SB772
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2SB772P LGE PNP 3A 30V 10W 80MHz 160 < beta < 320 2SB772 T2SB772
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2SB772P Foshan Blue Rocket Elec 2SB772.pdf TO-126,PNP, h=160-320,Ic=3A,Uceo=30V Транзистори
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2SB772-P KESENES 09+
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2SB772P
Hersteller: LGE
PNP 3A 30V 10W 80MHz 160 < beta < 320 2SB772 T2SB772
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2SB772P
Hersteller: LGE
PNP 3A 30V 10W 80MHz 160 < beta < 320 2SB772 T2SB772
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2SB772P
Hersteller: LGE
PNP 3A 30V 10W 80MHz 160 < beta < 320 2SB772 T2SB772
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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2SB772P 2SB772.pdf
Hersteller: Foshan Blue Rocket Elec
TO-126,PNP, h=160-320,Ic=3A,Uceo=30V Транзистори
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2SB772-P
Hersteller: KESENES
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Gehäuse: DIP-16
Beschreibung: Hochspannungs-Hochstrom-Darlington-Transistorarray
Montage: THT
Betriebstemperatur, °C: -40...85°C
Ausgangsstrom: 500 мА
Ausgangsspannung: 50 В
Anzahl der Kanäle: 7
verfügbar: 25 St.
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Produktcode: 31893
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2SD882P (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: NEC
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
Transitfrequenz fT: 80 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 30 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 40 V
Kollektorstrom Ic, A: 3 A
Stromverstärkung h21: 400
Montage: THT
verfügbar: 60 St.
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  • 139 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.31 EUR
100+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4 St.
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ULN2003AN
Produktcode: 22098
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Hersteller: TI
IC > IC Transistoranordnungen
Gehäuse: DIP-16
Beschreibung: Verbundtransistor mit gemeinsamen Kollektoren (Darlington-Paar)
Montage: THT
Betriebstemperatur, °C: -20...70°С
Ausgangsstrom: 500 мА
Ausgangsspannung: 50 В
Anzahl der Kanäle: 7
verfügbar: 49 St.
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SS8050D (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 30015
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SS8050D (NPN-Bipolartransistor)
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 150 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 25 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 40 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,8 A
Stromverstärkung h21: 300
Montage: THT
verfügbar: 95 St.
  • 95 St. - stock Köln
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  • 2135 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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8+0.17 EUR
10+0.12 EUR
100+0.098 EUR
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Mindestbestellmenge: 8 St.
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1N4007-SMD M7 DO214AC (2000 Stk./b.)
Produktcode: 73458
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1N4007-SMD M7 DO214AC (2000 Stk./b.)
Hersteller: Toshiba
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-214AC
Urev., V: 1000 V
Iausr., A: 1 A
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: S1M
Montage: SMD
Spannungsabfall Vf: 1 В
verfügbar: 1980 St.
  • 1980 St. - stock Köln
AnzahlPrivatkunde
21+0.058 EUR
34+0.036 EUR
100+0.027 EUR
1000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 21 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH