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2SB906-Y(TE16L1,NQ)

2SB906-Y(TE16L1,NQ) Toshiba

4292sb906_datasheet_en_20131101.pdf.pdf
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
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Technische Details 2SB906-Y(TE16L1,NQ) Toshiba

Description: TRANS PNP 60V 3A PW-MOLD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 9MHz, Supplier Device Package: PW-MOLD, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SB906-Y(TE16L1,NQ 2SB906-Y(TE16L1,NQ Toshiba 3FD30A48C8B70FB98C507AE187F7B26D1921E45F508BFE321A1ABF99F0496288.pdf Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PW-MOLD PC=20W F=9MHZ
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