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2SC1815Y

2SC1815Y DC

2sc1815.pdf
Produktcode: 15198
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Hersteller: DC
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 80 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 60 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,15 A
Stromverstärkung h21: 700
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
1+0.19 EUR
10+0.17 EUR
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Technische Details 2SC1815Y DC

  • TRANSISTOR, NPN, TO-92
  • Transistor Polarity:NPN
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:50V
  • Typ Gain Bandwidth ft:80MHz
  • Power Dissipation Pd:400mW
  • DC Collector Current:0.15A
  • DC Current Gain hFE:120
  • Transistor Case Style:TO-92
  • No. of Pins:3
  • Case Style:TO-92
  • Current Ic hFE:2mA
  • Max Current Ic:0.15A
  • Max Current Ic Continuous a:0.15A
  • Max Power Dissipation Ptot:400mW
  • Max Voltage Vce Sat:0.25V
  • Min Gain Bandwidth ft:80MHz
  • Min Hfe:70
  • No. of Transistors:1
  • Pin Configuration:a
  • Power Dissipation:400mW
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Type:Bipolar
  • Voltage Vcbo:60V

Möglichen Substitutionen 2SC1815Y DC

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SC1815GR 2SC1815GR
Produktcode: 86063
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BJT doc000222337.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 80 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 60 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,15 A
Montage: THT
verfügbar: 110 St.
  • 110 St. - stock Köln
1+0.079 EUR
10+0.055 EUR
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2SC1815GR
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Hersteller: BJT
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 80 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 60 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,15 A
Montage: THT
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2SC1815-Y TOSHIBA description 09+
auf Bestellung 10018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC1815Y description
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Hersteller: TOSHIBA
09+
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