2SC2411KT146Q Rohm Semiconductor
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Technische Details 2SC2411KT146Q Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SC2411KT146Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), High-Speed, NPN, 32 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-346, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote 2SC2411KT146Q nach Preis ab 0.07 EUR bis 0.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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2SC2411KT146Q | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 32V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R |
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2SC2411KT146Q | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Current gain: 82...390 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 9973 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2SC2411KT146Q | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Current gain: 82...390 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz |
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2SC2411KT146Q | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 32V 0.5A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 200 mW |
auf Bestellung 2459 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SC2411KT146Q | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 32V 0.5A |
auf Bestellung 11091 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SC2411KT146Q | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SC2411KT146Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), High-Speed, NPN, 32 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1522 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC2411KT146Q | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R |
auf Bestellung 474 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC2411K T146Q | Hersteller : ROHM | SOT23/SOT323 |
auf Bestellung 9162 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC2411KT146Q | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 32V 0.5A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 200 mW |
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