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2SC2411KT146R

2SC2411KT146R Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
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Technische Details 2SC2411KT146R Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN 32V 0.5A SMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: SMT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 200 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SC2411KT146R 2SC2411KT146R Rohm Semiconductor 2sc2411k.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
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2SC2411KT146R 2SC2411KT146R Rohm Semiconductor 2sc2411k.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
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2SC2411KT146R 2SC2411KT146R Rohm Semiconductor datasheet?p=2SC2411K&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRANS NPN 32V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
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2SC2411KT146R 2SC2411KT146R ROHM Semiconductor datasheet?p=2SC2411K&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Bipolar Transistors - BJT NPN 32V 0.5A
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Description: TRANS NPN 32V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
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Bipolar Transistors - BJT NPN 32V 0.5A
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