Technische Details 2SC2655-Y(TE6,F,M) Toshiba
Description: TRANS NPN 50V 2A TO-92MOD, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-92MOD, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 900 mW.
Weitere Produktangebote 2SC2655-Y(TE6,F,M)
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SC2655-Y(TE6,F,M) | Toshiba |
 Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,9, Uceo, В = 50, Ic = 2, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 70...240, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.5 @ 1 0.05, Тексп, °С = -55...150,... Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
 |
2SC2655-Y(TE6,F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN 50V 2A TO-92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 900 mW |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
2SC2655-Y(TE6,F,M) | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT NPN VCE 0.5V 900mW VCEO 50V tstg 1.0 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2SC2655-Y(TE6,F,M) |
|
Hersteller: Toshiba
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,9, Uceo, В = 50, Ic = 2, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 70...240, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.5 @ 1 0.05, Тексп, °С = -55...150,... Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,9, Uceo, В = 50, Ic = 2, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 70...240, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.5 @ 1 0.05, Тексп, °С = -55...150,... Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2SC2655-Y(TE6,F,M) |
|
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 2A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
Description: TRANS NPN 50V 2A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2SC2655-Y(TE6,F,M) |
|
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT NPN VCE 0.5V 900mW VCEO 50V tstg 1.0
Bipolar Transistors - BJT NPN VCE 0.5V 900mW VCEO 50V tstg 1.0
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH