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2SC2712-GR,LXHF

2SC2712-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=19227&prodName=2SC2712
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 1164 Stücke:
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Technische Details 2SC2712-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SC2712-GR,LXHF 2SC2712-GR,LXHF Toshiba 4233364646433133383731363645393742383144374445463042413344443338.pdf Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)
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2SC2712-GR,LXHF 4233364646433133383731363645393742383144374445463042413344443338.pdf
2SC2712-GR,LXHF
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)
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