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2SC2881-Y(TE12L,ZC

2SC2881-Y(TE12L,ZC Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2881_datasheet_en_20131101.pdf?did=20777&prodName=2SC2881 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
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Technische Details 2SC2881-Y(TE12L,ZC Toshiba Semiconductor and Storage

Description: PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: PW-MINI, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 500 mW.

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2SC2881-Y(TE12L,ZC 2SC2881-Y(TE12L,ZC Hersteller : Toshiba 4762sc2881_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 120V 0.8A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
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2SC2881-Y(TE12L,ZC 2SC2881-Y(TE12L,ZC Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2881_datasheet_en_20131101.pdf?did=20777&prodName=2SC2881 Description: PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
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2SC2881-Y(TE12L,ZC 2SC2881-Y(TE12L,ZC Hersteller : Toshiba 2SC2881_datasheet_en_20131101-1649910.pdf Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PC=1W F=1MHZ
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2SC2881-Y(TE12L,ZC 2SC2881-Y(TE12L,ZC Hersteller : Toshiba 4762sc2881_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 120V 0.8A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
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