Technische Details 2SC2881-Y(TE12L,ZC Toshiba
Description: TOSHIBA - 2SC2881-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 800 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SC-62, Dauerkollektorstrom: 800mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote 2SC2881-Y(TE12L,ZC nach Preis ab 0.3 EUR bis 1.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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2SC2881-Y(TE12L,ZC | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN 120V 0.8A PW-MINIPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PW-MINI Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 500 mW |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SC2881-Y(TE12L,ZC | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN 120V 0.8A PW-MINIPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PW-MINI Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 500 mW |
auf Bestellung 2472 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SC2881-Y(TE12L,ZC | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PC=1W F=1MHZ |
auf Bestellung 3183 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SC2881-Y(TE12L,ZC | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SC2881-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 800 mA, 1 W, SC-62, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SC-62 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2595 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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2SC2881-Y(TE12L,ZC | Toshiba |
Trans GP BJT NPN 120V 0.8A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 16 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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2SC2881-Y(TE12L,ZC | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SC2881-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 800 mA, 1 W, SC-62, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2595 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2SC2881-Y(TE12L,ZC |
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 0.8A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 120V 0.8A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 0.36 EUR |
| 2000+ | 0.32 EUR |
| 2SC2881-Y(TE12L,ZC |
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 0.8A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 120V 0.8A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 2472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 1.34 EUR |
| 25+ | 0.83 EUR |
| 100+ | 0.54 EUR |
| 500+ | 0.42 EUR |
| 2SC2881-Y(TE12L,ZC |
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Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PC=1W F=1MHZ
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PC=1W F=1MHZ
auf Bestellung 3183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.44 EUR |
| 10+ | 0.89 EUR |
| 100+ | 0.57 EUR |
| 500+ | 0.51 EUR |
| 1000+ | 0.43 EUR |
| 2000+ | 0.39 EUR |
| 5000+ | 0.3 EUR |
| 2SC2881-Y(TE12L,ZC |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC2881-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 800 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SC-62
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: TOSHIBA - 2SC2881-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 800 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SC-62
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2SC2881-Y(TE12L,ZC |
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Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 120V 0.8A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
Trans GP BJT NPN 120V 0.8A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2SC2881-Y(TE12L,ZC |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC2881-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 800 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: TOSHIBA - 2SC2881-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 800 mA, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)





