2SC2881-Y Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Hersteller: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 120V 500MW 120@100MA,5V 800MA NP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Transistor Type: NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 38+ | 0.48 EUR |
| 60+ | 0.3 EUR |
| 100+ | 0.19 EUR |
| 500+ | 0.14 EUR |
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Technische Details 2SC2881-Y Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 120V 500MW 120@100MA,5V 800MA NP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: SOT-89, Transistor Type: NPN, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 500 mW.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| 2SC2881-Y | Hersteller : N/A |
09+ |
auf Bestellung 200018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2SC2881-Y | Hersteller : TOSH |
SOT89 |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2SC2881-Y | Hersteller : TOSHIBA |
04+ SOT89 |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2SC2881-Y | Hersteller : TOSHIBA |
09+ |
auf Bestellung 2265 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC2881-Y | Hersteller : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 120V 500MW 120@100MA,5V 800MA NP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-89 Transistor Type: NPN DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 500 mW |
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