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2SC2909S-AA ONSEMI


ONSMS23072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC2909S-AA - 2SC2909S-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Technische Details 2SC2909S-AA ONSEMI

Description: TRANS NPN 160V 0.07A 3-NP, Power - Max: 600 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA, Supplier Device Package: 3-NP, Frequency - Transition: 150MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 30mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Packaging: Bulk.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SC2909S-AA 2SC2909S-AA Sanyo ONSMS23072-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 160V 0.07A 3-NP
Power - Max: 600 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Supplier Device Package: 3-NP
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 30mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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2SC2909S-AA ON Semiconductor 2sa1207-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.07A 600mW 3-Pin NP
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Hersteller: Sanyo
Description: TRANS NPN 160V 0.07A 3-NP
Power - Max: 600 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Supplier Device Package: 3-NP
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 30mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
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