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2SC3325-Y,LF

2SC3325-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=19247&prodName=2SC3325
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.093 EUR
6000+0.083 EUR
9000+0.079 EUR
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21000+0.07 EUR
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Technische Details 2SC3325-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SC3325-Y,LF 2SC3325-Y,LF TOSHIBA 2SC3325.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.5A; 0.2W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 5109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.31 EUR
368+0.23 EUR
642+0.13 EUR
747+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
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2SC3325-Y,LF 2SC3325-Y,LF Toshiba 07AC10F69053EC0B561A2A2905D4D646ABA96C2428441321F22C97E8C327F4AD.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
auf Bestellung 18548 Stücke:
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8+0.46 EUR
12+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.096 EUR
6000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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2SC3325-Y,LF 2SC3325-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19247&prodName=2SC3325 Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: S-Mini
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 21847 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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2SC3325-Y,LF Toshiba docget.jsp?did=19247&prodName=2SC3325 Транзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, ft, МГц = 300, hFE = 120 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 147 Stücke:
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2SC3325-Y,LF 2SC3325.pdf
2SC3325-Y,LF
Hersteller: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.5A; 0.2W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
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2SC3325-Y,LF 07AC10F69053EC0B561A2A2905D4D646ABA96C2428441321F22C97E8C327F4AD.pdf
2SC3325-Y,LF
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
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12+0.29 EUR
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2SC3325-Y,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: S-Mini
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
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Hersteller: Toshiba
Транзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, ft, МГц = 300, hFE = 120 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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