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2SC3332S-AA ON Semiconductor


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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
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Technische Details 2SC3332S-AA ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3-NP, Power - Max: 700 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: 3-NP, Frequency - Transition: 120MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SC3332S-AA 2SC3332S-AA ON Semiconductor 251en1334-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
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2SC3332S-AA 2SC3332S-AA onsemi 2SC3332.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3-NP
Power - Max: 700 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Supplier Device Package: 3-NP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
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Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3-NP
Power - Max: 700 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Supplier Device Package: 3-NP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
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Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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