2SC3503E onsemi
Hersteller: onsemiDescription: TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 7 W
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|---|---|
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Technische Details 2SC3503E onsemi
Description: ONSEMI - 2SC3503E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Einfach NPN, 300 V, 100 mA, 7 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7W, Bauform - Transistor: TO-126, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: 2SC3503 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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2SC3503E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3503E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Einfach NPN, 300 V, 100 mA, 7 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: TO-126 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 2SC3503 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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