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2SC3596E

2SC3596E onsemi

SNYOS20807-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 0.3A TO-126
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Power - Max: 1.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 700MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
auf Bestellung 12014 Stücke:
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Technische Details 2SC3596E onsemi

Description: TRANS NPN 60V 0.3A TO-126, Part Status: Active, Packaging: Bulk, Power - Max: 1.2 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA, Supplier Device Package: TO-126, Frequency - Transition: 700MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 10mA, 100mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
2SC3596E ON Semiconductor SNYOS20807-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans GP BJT NPN 60V 0.3A 1200mW 3-Pin TO-126
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373+1.46 EUR
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2SC3596E ON Semiconductor SNYOS20807-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans GP BJT NPN 60V 0.3A 1200mW 3-Pin TO-126
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