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2SC3647S-TD-E

2SC3647S-TD-E onsemi

2sa1417-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 1000 Stücke:
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Technische Details 2SC3647S-TD-E onsemi

Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2SC3647S-TD-E 2SC3647S-TD-E Hersteller : onsemi 2SA1417_D-3150112.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
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2SC3647S-TD-E 2SC3647S-TD-E Hersteller : onsemi 2sa1417-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+0.93 EUR
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500+0.47 EUR
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2SC3647S-TD-E 2SC3647S-TD-E Hersteller : ONSEMI 2sa1417-d.pdf Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2565 Stücke:
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2SC3647S-TD-E 2SC3647S-TD-E Hersteller : ONSEMI 2sa1417-d.pdf Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
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Dauer-Kollektorstrom: 2A
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Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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2SC3647S-TD-E Hersteller : ONSEMI 2sa1417-d.pdf 2SC3647S-TD-E NPN SMD transistors
auf Bestellung 871 Stücke:
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103+0.7 EUR
199+0.36 EUR
211+0.34 EUR
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 103
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2SC3647S-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 2sa1417-d.pdf
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2SC3647S-TD-E 2SC3647S-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 2sa1417-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2SC3647S-TD-E 2SC3647S-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 2sa1417-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2SC3647S-TD-E 2SC3647S-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 3940en2006-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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