2SC3647S-TD-E onsemi
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details 2SC3647S-TD-E onsemi
Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote 2SC3647S-TD-E nach Preis ab 0.39 EUR bis 1.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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2SC3647S-TD-E | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V |
auf Bestellung 1641 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SC3647S-TD-E | onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 2A PCP Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A |
auf Bestellung 1090 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SC3647S-TD-E | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89 Polarisation: bipolar Mounting: SMD Case: SOT89 Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.5W Collector current: 2A Collector-emitter voltage: 100V Current gain: 140...280 Frequency: 120MHz |
auf Bestellung 729 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC3647S-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2366 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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2SC3647S-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2366 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC3647S-TD-E | ON Semiconductor |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2SC3647S-TD-E |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 1.11 EUR |
| 10+ | 0.98 EUR |
| 100+ | 0.68 EUR |
| 500+ | 0.57 EUR |
| 1000+ | 0.48 EUR |
| 2000+ | 0.43 EUR |
| 5000+ | 0.4 EUR |
| 2SC3647S-TD-E |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 1.11 EUR |
| 22+ | 0.96 EUR |
| 100+ | 0.67 EUR |
| 500+ | 0.56 EUR |
| 2SC3647S-TD-E |
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Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT89
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.5W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 140...280
Frequency: 120MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT89
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.5W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 140...280
Frequency: 120MHz
auf Bestellung 729 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 72+ | 1.19 EUR |
| 114+ | 0.75 EUR |
| 178+ | 0.48 EUR |
| 500+ | 0.39 EUR |
| 2SC3647S-TD-E |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2SC3647S-TD-E |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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| 2SC3647S-TD-E |
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Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 467 Stücke:
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