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2SC4102U3T106

2SC4102U3T106 Rohm Semiconductor

datasheet?p=2SC4102U3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 120V 0.05A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 200 mW
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Technische Details 2SC4102U3T106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SC4102U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 50 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 50mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 140MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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2SC4102U3T106 2SC4102U3T106 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SC4102U3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 120V 0.05A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 200 mW
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2SC4102U3T106 2SC4102U3T106 Hersteller : ROHM 2791041.pdf Description: ROHM - 2SC4102U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 50 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC4102U3T106 2SC4102U3T106 Hersteller : ROHM 2791041.pdf Description: ROHM - 2SC4102U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 50 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
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Dauer-Kollektorstrom: 50mA
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Verlustleistung: 200mW
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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