2SC4134T-TL-E onsemi
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 1A TP-FA
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details 2SC4134T-TL-E onsemi
Description: TRANS NPN 100V 1A TP-FA, Power - Max: 800 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Supplier Device Package: TP-FA, Frequency - Transition: 120MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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2SC4134T-TL-E | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2SC4134T-TL-E |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
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