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2SC4617EBHZGTLQ

2SC4617EBHZGTLQ ROHM Semiconductor

rohm-s-a0008265177-1.pdf
Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 50V 0.15A 0.15W SOT-416FL
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Technische Details 2SC4617EBHZGTLQ ROHM Semiconductor

Description: ROHM - 2SC4617EBHZGTLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416FL, Dauerkollektorstrom: 150mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SC4617EBHZGTLQ 2SC4617EBHZGTLQ ROHM 2703233.pdf Description: ROHM - 2SC4617EBHZGTLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1310 Stücke:
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610+0.38 EUR
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2SC4617EBHZGTLQ 2SC4617EBHZGTLQ ROHM 2703233.pdf Description: ROHM - 2SC4617EBHZGTLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1310 Stücke:
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2SC4617EBHZGTLQ Rohm Semiconductor Description: TRANS NPN 50V 0.15A EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2SC4617EBHZGTLQ Rohm Semiconductor Description: TRANS NPN 50V 0.15A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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2SC4617EBHZGTLQ 2703233.pdf
2SC4617EBHZGTLQ
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SC4617EBHZGTLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1310 Stücke:
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2SC4617EBHZGTLQ
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SC4617EBHZGTLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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2SC4617EBHZGTLQ
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 0.15A EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.11 EUR
6000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2SC4617EBHZGTLQ
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 0.15A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
40+0.52 EUR
67+0.32 EUR
107+0.2 EUR
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Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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