2SC4726TLN

2SC4726TLN Rohm Semiconductor


2sc4726tlp-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 11V 0.05A 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 2830 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
323+0.48 EUR
500+ 0.45 EUR
1000+ 0.42 EUR
2500+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 323
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details 2SC4726TLN Rohm Semiconductor

Description: RF TRANS NPN 11V 0.05A EMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V, Frequency - Transition: 3.2GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 500MHz, Supplier Device Package: EMT3.

Weitere Produktangebote 2SC4726TLN nach Preis ab 0.23 EUR bis 1.02 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
2SC4726TLN 2SC4726TLN Hersteller : Rohm Semiconductor 2sc4726tlp-e.pdf Description: RF TRANS NPN 11V 0.05A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 3.2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 500MHz
Supplier Device Package: EMT3
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2SC4726TLN Hersteller : ROHM Semiconductor ROHM_S_A0002134899_1-2561610.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 11V 50MA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
52+1.02 EUR
62+ 0.85 EUR
1000+ 0.48 EUR
3000+ 0.29 EUR
9000+ 0.24 EUR
24000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 52
2SC4726TLN 2SC4726TLN Hersteller : Rohm Semiconductor 2sc4726tlp-e.pdf Description: RF TRANS NPN 11V 0.05A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 3.2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 500MHz
Supplier Device Package: EMT3
Produkt ist nicht verfügbar