2SC4793(F,M) Toshiba
Hersteller: Toshiba
TO-220FP-3, NPN, Ic=1.0A, Uce=230V, Ft=100MHz, hfe=320, -55...+150 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Technische Details 2SC4793(F,M) Toshiba
Description: TRANS NPN 230V 1A TO-220NIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-220NIS, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V, Power - Max: 2 W.
Weitere Produktangebote 2SC4793(F,M)
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| 2SC4793(F,M) | Hersteller : Toshiba |
Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), комплементарный тип 2SA1837.... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
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2SC4793(F,M) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN 230V 1A TO-220NIS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-220NIS Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 2 W |
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| 2SC4793 (F,M) | Hersteller : onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT |
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