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2SC4793(F,M) Toshiba

Hersteller: Toshiba
TO-220FP-3, NPN, Ic=1.0A, Uce=230V, Ft=100MHz, hfe=320, -55...+150 Транзистори

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Produktrezensionen

Technische Details 2SC4793(F,M) Toshiba

Description: TRANS NPN 230V 1A TO-220NIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-220NIS, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V, Power - Max: 2 W.

Weitere Produktangebote 2SC4793(F,M)

Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
2SC4793(F,M)	Toshiba	Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), комплементарный тип 2SA1837.... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 50 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SC4793(F,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS NPN 230V 1A TO-220NIS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-220NIS Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 2 W	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SC4793 (F,M)	onsemi / Fairchild	Bipolar Transistors - BJT	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

2SC4793(F,M)

Hersteller: Toshiba
Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), комплементарный тип 2SA1837.... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

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2SC4793(F,M)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 2 W

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2SC4793 (F,M)

Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT

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