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Technische Details 2SC5006-T1-A Renesas
Description: RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-523, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 9dB, Power - Max: 125mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 7mA, 3V, Frequency - Transition: 4.5GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Supplier Device Package: SOT-523, Part Status: Obsolete.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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2SC5006-T1-A | CEL |
Description: RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 9dB Power - Max: 125mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 7mA, 3V Frequency - Transition: 4.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Obsolete |
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2SC5006-T1-A | CEL |
Description: RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 9dB Power - Max: 125mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 7mA, 3V Frequency - Transition: 4.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Obsolete |
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2SC5006-T1-A | CEL |
 RF Bipolar Transistors NPN Silicon Amp |
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| 2SC5006-T1-A | Renesas Electronics | Renesas Electronics |
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| 2SC5006-T1-A |
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9dB
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 7mA, 3V
Frequency - Transition: 4.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Obsolete
Description: RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9dB
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 7mA, 3V
Frequency - Transition: 4.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Obsolete
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| 2SC5006-T1-A |
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9dB
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 7mA, 3V
Frequency - Transition: 4.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Obsolete
Description: RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9dB
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 7mA, 3V
Frequency - Transition: 4.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-523
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| 2SC5006-T1-A |
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Hersteller: CEL
RF Bipolar Transistors NPN Silicon Amp
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| 2SC5006-T1-A |
Hersteller: Renesas Electronics
Renesas Electronics
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