2SC5065-Y(TE85L,F)
Produktcode: 166612
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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2SC5065-Y(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Radio-Freq Bipolar 30mA 100mW 12V |
auf Bestellung 811 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SC5065-Y(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SC-70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Gain: 12dB ~ 17dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 7GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active |
auf Bestellung 287 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SC5065-Y(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SC-70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Gain: 12dB ~ 17dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 7GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active |
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