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2SC5200-O(S1,F

2SC5200-O(S1,F Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5200_datasheet_en_20160107.pdf?did=20668&prodName=2SC5200 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PL
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(L)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
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Technische Details 2SC5200-O(S1,F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: PB-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3PL, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-3P(L), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 15 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V, Power - Max: 150 W.

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2SC5200-O(S1,F Hersteller : Toshiba 1614797045679381614779178499292sc5200_datasheet_en_20160107.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Magazine
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