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2SC5200-O(S1,F

2SC5200-O(S1,F Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=20668&prodName=2SC5200
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 230V 15A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PL
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(L)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
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Technische Details 2SC5200-O(S1,F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS NPN 230V 15A TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3PL, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-3P(L), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 15 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V, Power - Max: 150 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SC5200-O(S1,F Toshiba docget.jsp?did=20668&prodName=2SC5200 2SC5200-O(S1,F 2SC5200 NPN,TO-264, Uce=230V, Ic=15A, hFE=80...160, Ft=30MHz, -55...+150 Транзистори
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2SC5200-O(S1,F 2SC5200-O(S1,F Toshiba CAA1AD49FE4F65F4057A84E6EAEB0A580DBF8DE26183D103A9D889A85AC88500.pdf Bipolar Transistors - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ
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