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2SC5200N(S1,E,S)

2SC5200N(S1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5200N_datasheet_en_20150512.pdf?did=13909&prodName=2SC5200N Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 230V 15A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
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Technische Details 2SC5200N(S1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TOSHIBA - 2SC5200N(S1,E,S) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 15A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

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2SC5200N(S1,E,S) 2SC5200N(S1,E,S) Hersteller : Toshiba 2SC5200N_datasheet_en_20150512-1799632.pdf Bipolar Transistors - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
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2SC5200N(S1,E,S) 2SC5200N(S1,E,S) Hersteller : Toshiba 545docget.jspdid13909prodname2sc5200n.jspdid13909prodname2sc5200n.pd.pdf Trans GP BJT NPN 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
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Produktcode: 176754 		2SC5200N_datasheet_en_20150512.pdf?did=13909&prodName=2SC5200N Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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2SC5200N(S1,E,S) 2SC5200N(S1,E,S) Hersteller : TOSHIBA TOSC-S-A0001060199-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - 2SC5200N(S1,E,S) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
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Dauer-Kollektorstrom: 15A
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Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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